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2.3 金属材料发展趋于低谷，有待突破
相对于高分子材料、复合材料和非金属材料的迅猛发展，历史悠久的金属材料的发展处于停滞甚至后退的局面，从2000年至2005年，我国金属材料论文发表数量从1614篇减少到254篇，下降了535%。这一现象说明我们在该领域的技术创新能力不足。当前，世界金属材料领域的发展出现了很多新的特点及增长点，高性能金属材料发展*。我国目前高性能金属材料的产品研制、加工成型技术、生产设备等多方面都存在问题，阻碍了金属材料的发展。因此，只要加大金属材料的技术创新力度，就一定能打破其发展停滞不前的局面，实现新的振兴和快速发展就指日可待。

2018年新材料产业展预计规模：250+展商，12,000平方米展示面积，170,000+专业观众，设晶体生长及材料展

这种纳米带的横截面是一个窄矩形结构，带宽为30～300mm，厚度为5～10nm，而长度可达几毫米，是迄今为止合成的惟一具有结构可控且无缺陷的宽带半导体准一维带状结构。目前已经成功合成了氧化锡、氧化铟、氧化隔等材料纳米带。由于半导体氧化物纳米带克服了碳纳米管的不稳定性和内部缺陷问题，具有比碳纳米管更*特和优越的结构及物理性能，因而能够更早地投入工业生产和商业开发。
**导材料**导材料在电动机、变压器和磁悬浮列车等领域有着巨大的市场，如用**导材料制造电机可增大极限输出量20倍，减轻重量90%。**导材料的研制，关键在于提高材料的临界温度，若此问题得到解决，则会使许多领域产生重大变化。去年，科学家在**导材料上有不少新收获，相继发现了临界温度更训的新型**导材料，使人类朝着开发室温**导材料迈出了一大步。
在日本，有人发现二硼化镁可在－234℃成为**导体，这是迄今为止发现临界温度的金属化合物**导体。由于二硼化镁的发现，使世界凝聚态物理学界为之振奋。由于二硼化镁**导体易合成、易加工，很*制成薄膜或线材，因而应用前景看好。
美国科学家在研制更具实用性**导材料方面取得了明显的进展，并开始进入实用阶段。美国底物律的福瑞斯比电站在地下铺设了360多米的**导电缆，电缆中123kg重的导线是由含铋、锶、钙、铜的氧化物**导瓷制造的。这是世界上实用的**导输电线路。
我国在高温**导产业化技术上也获得了重大突破，目前已有高温**导线材生产线投产。据估计，到2010年**导产品可有1000亿美元的市场。但应当指出的是，除**导材料以外，还有许多配套技术需要解决，同时还要继续研究开发高温**导体，如室温**导材料。